Samsung Galaxy S7, возможно, получит 6 Гб оперативной памяти, благодаря чипу LPDDR4 12 Гб

12345 (голосов: 1, в среднем: 5,00 из 5)
Загрузка...

Корейская компания запустила массовое производство 12 Гб динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) на основе 20нм технологического процесса.

Память Samsung 12 Gb LPDDR4

Память Samsung 12 Gb LPDDR4

Samsung массово производит то, что сам называет «первым в индустрии» мобильным DRAM 12 Гб LPDDR4, основанном на 20нм технологическом процессе.

Чип LPDDR4 12 Гб должен проложить путь оперативной памяти 6 Гб в будущие смартфоны, «значительно ускорить распространение мобильных DRAM по всему миру», повысить энергоэффективность, надёжность и упростить конструкцию по сравнению с предыдущими версиями, которые, по словам Samsung, «необходимы для развития следующего поколения мобильных устройств».

Samsung заявил, что скорость последней 12 Гб версии увеличилась на 30% до 4,266 Мб/с по сравнению с предыдущим 20 нм 8 Гб LPDDR4, которая в 2 раза быстрее, чем DDR4 DRAM для компьютеров. Также они сообщили, что потребление энергии сократилось на 20%.

«Запуская массовое производство 12 Гб мобильного LPDDR4 в современном стиле, мы не только помогаем производителям оригинального оборудования (OEM) быстрее приблизиться к следующему поколению мобильных девайсов, но и обеспечиваем функциональность, которая даст покупателям мобильных устройств совершенно новые впечатления» – заявил Джу Сун Чой, исполнительный вице-президент департамента запоминающих устройств.

«Более того, мы стремимся тесно сотрудничать с нашими потребителями по всему миру, чтобы выйти за пределы премиум смартфонов или планшетов при создании новых цифровых рынков, которые охватывают весь потенциал новейших технологий, таких как мобильный DRAM следующего поколения».

Например, у 12 Гб LPDDR4 есть варианты 3 или 6 Гб мобильного DRAM в одном комплекте, с использованием при этом только двух или четырёх чипов соответственно, сообщили в Samsung, отметив, что это единственное возможное решение комплекта 6 Гб LPDDR4.

«Во флагманских девайсах следующего поколения, 6 Гб LPDDR4 мобильный DRAM позволит потребителям наслаждаться мультизадачностью и максимальной производительностью новейших операционных систем» – сообщили в компании.

Компания также заявила, что комплект 6 Гб помещается в том же пространстве, что и доступный в настоящее время 3 Гб LPDDR4, а, значит, «удовлетворяет потребностям в сопоставимости отличного дизайна с высокой производительностью в усовершенствованных мобильных устройствах».

Читайте также:  Сравнительный обзор Samsung Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge

Расширение высокоемкой памяти продуктовой линейки в 12 Гб LPDDR4 позволит Samsung увеличить 20 нм DRAM до 12/8/6/4 Гб, что поможет компании усилить свои позиции на рынке запоминающих премиум-устройств.

Samsung сообщил, что производительность 12 Гб чипа выросла на 50% по сравнению с 20 нм 8 Гб LPDDR4, представленным в прошлом году. Они надеются, что этот показатель поможет увеличить спрос на память с более высокой производительностью в мобильных устройствах, таких как следующий смартфон компании Galaxy S7.